Samsung увеличит производство памяти HBM4 и HBM4E в два раза

Samsung планирует увеличить объемы выпуска памяти следующего поколения HBM4 и HBM4E более чем в два раза в течение следующего года. Решение продиктовано резким ростом спроса на компоненты для высокопроизводительных вычислений и обучения нейросетей.

Ключевым фактором расширения мощностей стал 2.5-кратный рост потребности в стеклянных подложках (glass carriers), которые необходимы для многослойной компоновки чипов памяти. Использование таких подложек позволяет повысить плотность размещения кристаллов и улучшить тепловые характеристики модулей, что критически важно для работы с современными графическими ускорителями.

Производственная стратегия компании направлена на удовлетворение нужд производителей AI-чипов, которые переходят на архитектуры с поддержкой HBM4. Переход на новые стандарты памяти обеспечивает более высокую пропускную способность и энергоэффективность по сравнению с текущим поколением HBM3E, что является узким местом при масштабировании кластеров для обучения больших языковых моделей.

На текущий момент рынок HBM остается одним из самых дефицитных сегментов полупроводниковой индустрии. Увеличение выпуска позволит компании укрепить позиции в цепочке поставок для ведущих разработчиков AI-железа, обеспечивая стабильные поставки памяти для будущих поколений вычислительных систем.